9博体育官网电子技术(包含模拟部分和数字部分)pdf电 电 子子 技技 术术 电电 子子 技技 术术 前前 进进 电子技术论 前前 进进 坛 电子发 烧友 电 电 子子 技技 术术 电电 子子 技技 术术 绪 绪 论论 绪绪 论论 模模 拟拟 部部 分分 模模 拟拟 部部 分分 数数 字字 部部 分分 数数 字字 部部 分分 退退 出出 （点击进入有关部分（点击进入有关部分 ）） 退退 出出 （（点击进入有关部分点击进入有关部分 ）） 电子技术论 坛 电子发 烧友 绪绪 论论 绪绪 论论 电子技术发展简史电子技术发展简史 电子技术发展简史电子技术发展简史 电子技术的应用电子技术的应用 电子技术的应用电子技术的应用 电子技术课程安排电子技术课程安排 电子技术课程安排电子技术课程安排 前前 进进 返返 回回 前前 进进 返返 回回 退退 出出 退退 出出 电子技术论 坛 电子发 烧友 I. 电子技术发展史电子技术发展史 电子技术发展史电子技术发展史 电子技术的出现和应用 电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技，使人类进入了高新技 电子技术的出现和应用电子技术的出现和应用，，使人类进入了高新技使人类进入了高新技 术时代术时代。电子技术诞生的历史虽短。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域，但深入的领域 术时代术时代。。电子技术诞生的历史虽短电子技术诞生的历史虽短，，但深入的领域但深入的领域 却是最深最广却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，它不仅是现代化社会的重要标志，， 却是最深最广却是最深最广，，它不仅是现代化社会的重要标志它不仅是现代化社会的重要标志，， 而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质 而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质 技术基础技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞。电子技术是在通信技术发展的基础上诞 技术基础技术基础。。电子技术是在通信技术发展的基础上诞电子技术是在通信技术发展的基础上诞 生的生的。随着新型电子材料的发现。随着新型电子材料的发现，电子器件发生了，电子器件发生了 生的生的。。随着新型电子材料的发现随着新型电子材料的发现，，电子器件发生了电子器件发生了 深刻变革深刻变革。自。第一支电子器件发明以来年第一支电子器件发明以来，世，世 深刻变革深刻变革。。自第一支电子器件发明以来年第一支电子器件发明以来，，世世 界电子技术经历了电子管界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重、晶体管和集成电路等重 界电子技术经历了电子管界电子技术经历了电子管、、晶体管和集成电路等重晶体管和集成电路等重 要发展阶段要发展阶段。。 要发展阶段要发展阶段。。 前前 进进 返返 回回 前前 进进 返返 回回 电子技术论 坛 电子发 烧友 I. 电子技术发展史电子技术发展史 电子技术发展史电子技术发展史 电子技术的出现和应用 电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技，使人类进入了高新技 电子技术的出现和应用电子技术的出现和应用，，使人类进入了高新技使人类进入了高新技 术时代术时代。电子技术诞生的历史虽短。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域，但深入的领域 术时代术时代。。电子技术诞生的历史虽短电子技术诞生的历史虽短，，但深入的领域但深入的领域 却是最深最广却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，它不仅是现代化社会的重要标志，， 却是最深最广却是最深最广，，它不仅是现代化社会的重要标志它不仅是现代化社会的重要标志，， 而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质 而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质 技术基础技术基础。。电子技术是在通信技术发展的基础上诞电子技术是在通信技术发展的基础上诞 技术基础技术基础。。电子技术是在通信技术发展的基础上诞电子技术是在通信技术发展的基础上诞 生的生的。。随着新型电子材料的发现随着新型电子材料的发现，电子器件发生了，电子器件发生了 生的生的。。随着新型电子材料的发现随着新型电子材料的发现，，电子器件发生了电子器件发生了 深刻变革深刻变革。1906。1906年第一支电子器件发明以来年第一支电子器件发明以来，世界，世界 深刻变革深刻变革。第一支电子器件发明以来年第一支电子器件发明以来，，世界世界 电子技术经历了电子技术经历了电子管电子管、晶体管和集成电路、晶体管和集成电路等重要等重要 电子技术经历了电子技术经历了电子管电子管、、晶体管和集成电路晶体管和集成电路等重要等重要 发展阶段发展阶段。。 发展阶段发展阶段。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 一. 一. 通信技术的发展通信技术的发展 一一. . 通信技术的发展通信技术的发展 原始通信方式原始通信方式 人力人力、烽火台等、烽火台等 1.原始通信方式原始通信方式——人力人力、、烽火台等烽火台等 横木通信机横木通信机 年（年 （法法）） 2.横木通信机横木通信机——1791年年 （（法法））C.Chappe 有线电报有线电报 年（年 （美美）） 3.有线年年 （（美美））S . B . Morse 有线电话有线电话 年（年 （苏苏）） 有线电话有线电话 年年 （（苏苏）） 4. ——1875 A. G. Bell 无线电收发报机无线电收发报机 年年 （（意）意） 5.无线电收发报机无线年年 （（意意））G.Marconi 通信业务蓬勃发展通信业务蓬勃发展 电子器件产生之后电子器件产生之后。。 通信业务蓬勃发展通信业务蓬勃发展—— 电子器件产生之后电子器件产生之后。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 二. 二. 电子器件的产生电子器件的产生 二二. . 电子器件的产生电子器件的产生 • 电子器件是按照电子器件是按照“ 电子管电子管—— 晶体晶体 电子器件是按照电子器件是按照 电子管电子管 晶体晶体 管管—— 集成电路集成电路”的顺序的顺序，逐步发展起，逐步发展起 管管 集成电路集成电路 的顺序的顺序，，逐步发展起逐步发展起 来的来的。。 来的来的。。 电电子子 管管 晶晶 体体 管管 集集 成成 电电路路 电电子子 管管 晶晶 体体 管管 集集 成成 电电路路 电子技术论 坛 电子发 烧友 二. 二. 电子器件的产生电子器件的产生 二二. . 电子器件的产生电子器件的产生 1. 真空电子管的发明真空电子管的发明：： 真空电子管的发明真空电子管的发明：： 真空二极管真空二极管 年（年 （美美）） 真空二极管线年年 （（美美））Fleming 真空三极管真空三极管 年（年 （美美）） 真空三极管真空三极管 年年 （（美美）） ——1906 Leede Forest 2. 晶体管的产生晶体管的产生 晶体管的产生晶体管的产生 晶体管晶体管 （美（美）） 、、 晶体管晶体管 （（美美）） 、、 Transistor——1947 Shockley 、、 Bardeen 、、Brattain 3.集成电路的出现集成电路的出现 集成电路的出现集成电路的出现 集成电路集成电路 （美（美）） 集成电路集成电路 （（美美）） IC(integrate circuit)——1959 、、 Kilby 、、Noyis 集成电路的出现集成电路的出现，标志着人类进入了微电子时代，标志着人类进入了微电子时代。。 集成电路的出现集成电路的出现，，标志着人类进入了微电子时代标志着人类进入了微电子时代。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 II . 电子技术的应用电子技术的应用 电子技术的应用电子技术的应用 自电子器件出现自电子器件出现 • 自电子器件出现自电子器件出现 至今至今，电子技术已经，电子技术已经 至今至今，，电子技术已经电子技术已经 应用到了社会的各个应用到了社会的各个 应用到了社会的各个应用到了社会的各个 领域领域。。 领域领域。。 前前 进进 返返 回回 前前 进进 返返 回回 电子技术论 坛 电子发 烧友 II . 电子技术的应用电子技术的应用 电子技术的应用电子技术的应用 年年 年年 年年 年年 1875年年 1901年年 年年 1923年年 1925年年 1902年年 年年 1906年年 （苏（苏）） （美（美）） （瑞（瑞）） （美（美、、英英）） （（苏苏）） （（美美）） （美（美）） （（瑞瑞）） （（美美、、英英）） （（美美）） （美（美）） （（美美）） Internet 互联网 VCD 年年 年年 年年 1992年年 年年 1961年年 1983年年 1946年年 年年 年年 199 年年 1934年年 （中（中）） （美（美）） （美（美）） （（中中）） （美（美）） （（美美）） （（美美）） （（美美）） （美（美）） （俄（俄）） （（美美）） （（俄俄）） 电子技术论 坛 电子发 烧友 III. 课程安排课程安排 课程安排课程安排 一一. 内容划分内容划分 一一 内容划分内容划分 器件器件：：二极管二极管 、、 三极管三极管 、、 场效应管场效应管 器件器件：：二极管二极管 、、 三极管三极管 、、 场效应管场效应管 放大器放大器：：基本放大器基本放大器 、、 反馈放大器反馈放大器 放大器放大器：：基本放大器基本放大器 、、 反馈放大器反馈放大器 差动放大器差动放大器 、、 功率放大器功率放大器 差动放大器差动放大器 、、 功率放大器功率放大器 模拟部分模拟部分 模拟部分模拟部分 集成电路集成电路：：集成运算放大器集成运算放大器 集成电路集成电路：：集成运算放大器集成运算放大器 电源电源：：交流电源交流电源 （振荡器（振荡器）、）、直流电源直流电源 （稳压电源（稳压电源）） 电源电源：：交流电源交流电源 （（振荡器振荡器）、）、直流电源直流电源 （（稳压电源稳压电源）） 无线电无线电：：无线电知识无线电知识 、、 收音机收音机 无线电无线电：：无线电知识无线电知识 、、 收音机收音机 逻辑代数逻辑代数 逻辑代数逻辑代数 无线电无线电：：无线电知识无线电知识 、、 收音机收音机 无线电无线电：：无线电知识无线电知识 、、 收音机收音机 逻辑门电路逻辑门电路：： 基本门基本门 、、 复合门复合门 逻辑门电路逻辑门电路：： 基本门基本门 、、 复合门复合门 数字部分数字部分 数字部分数字部分 组合逻辑电路组合逻辑电路 ：：编码器编码器 、、 译码器译码器、选择器、选择器 组合逻辑电路组合逻辑电路 ：：编码器编码器 、、 译码器译码器、、选择器选择器 比较器比较器 、、 加法器加法器 比较器比较器 、、 加法器加法器 脉冲脉冲：： 脉冲变换脉冲变换 、、 脉冲产生脉冲产生 脉冲脉冲：： 脉冲变换脉冲变换 、、 脉冲产生脉冲产生 电子技术论 返返 回回 前前 进进 返返 回回 前前 进进 坛 电子发 烧友 二二. 时间安排时间安排 二二 时间安排时间安排 学习时间学习时间 学年学年 学习时间学习时间——1学年学年 上半年上半年：：模拟部分模拟部分 上半年上半年：：模拟部分模拟部分 下半年下半年：： 数字部分数字部分 下半年下半年：： 数字部分数字部分 三三.学习注意事项学习注意事项 三三 学习注意事项学习注意事项 电路图多电路图多、内容分散、内容分散、误差较大、误差较大 电路图多电路图多、、内容分散内容分散、、误差较大误差较大 课程特点课程特点 课程特点课程特点 计算简单计算简单、实用性强、实用性强 计算简单计算简单、、实用性强实用性强 掌握电路的构成原则掌握电路的构成原则、记住几个典型电路、记住几个典型电路 掌握电路的构成原则掌握电路的构成原则、、记住几个典型电路记住几个典型电路 学习方法学习方法 学习方法学习方法 及时总结及练习及时总结及练习、掌握近似原则、掌握近似原则、与实验有机结合、与实验有机结合 及时总结及练习及时总结及练习、、掌握近似原则掌握近似原则、、与实验有机结合与实验有机结合 电子技术论 坛 电子发 烧友 第一编第一编 模拟部分 模拟部分 第一编第一编 模拟部分模拟部分 第一章第一章 半导体器件 半导体器件 第一章第一章 半导体器件半导体器件 第二章第二章 基本放大电路 基本放大电路 第二章第二章 基本放大电路基本放大电路 第三章第三章 放大电路的频率特性 放大电路的频率特性 第三章第三章 放大电路的频率特性放大电路的频率特性 第四章第四章 集成运算放大器 集成运算放大器 第四章第四章 集成运算放大器集成运算放大器 第五章第五章 负反馈放大器 负反馈放大器 第五章第五章 负反馈放大器负反馈放大器 第六章第六章 信号运算电路 信号运算电路 第六章第六章 信号运算电路信号运算电路 第七章第七章 波形发生电路 波形发生电路 第七章第七章 波形发生电路波形发生电路 第八章第八章 功率放大电路 功率放大电路 第八章第八章 功率放大电路功率放大电路 第九章第九章 直流电源 直流电源 第九章第九章 直流电源直流电源 前前 进进 返返 回回 前前 进进 返返 回回 退退 出出 退退 出出 电子技术论 坛 电子发 烧友 第一章第一章 半导体器件 半导体器件 第一章第一章 半导体器件半导体器件 本章主要内容本章主要内容：： 本章主要内容本章主要内容：： 半导体材料 半导体材料、由半导体构成的、由半导体构成的PNPN 半导体材料半导体材料、、由半导体构成的由半导体构成的PNPN 结、结、二极管结构特性二极管结构特性、三极管结构特性及、三极管结构特性及 结结、、二极管结构特性二极管结构特性、、三极管结构特性及三极管结构特性及 场效应管结构特性场效应管结构特性。。 场效应管结构特性场效应管结构特性。。 前前 进进 返返 回回 前前 进进 返返 回回 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .1 半导体半导体 （（Semiconductor ）导电特性）导电特性 半导体半导体 （（ ））导电特性导电特性 根据导电性质把物质分为 根据导电性质把物质分为导体导体、绝、绝 根据导电性质把物质分为根据导电性质把物质分为导体导体、、绝绝 缘体缘体、半导体、半导体三大类三大类。。 缘体缘体9博体育、、半导体半导体三大类三大类。。 而半导体又分为 而半导体又分为本征半导体本征半导体、杂质、杂质 而半导体又分为而半导体又分为本征半导体本征半导体、、杂质杂质 （掺杂（掺杂 ）半导体）半导体两种两种。。 （（掺杂掺杂 ））半导体半导体两种两种。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .1 .1 本征半导体本征半导体 本征半导体本征半导体 纯净的 纯净的、不含杂质的半导体、不含杂质的半导体。常用的半导体材。常用的半导体材 纯净的纯净的、、不含杂质的半导体不含杂质的半导体。。常用的半导体材常用的半导体材 料有两种料有两种：硅：硅（（SiSi）、）、锗（锗 （GeGe）。）。 料有两种料有两种：：硅硅 （（SiSi ）、）、锗锗 （（GeGe ）。）。 硅Si 硅Si （（锗锗GeGe））的原子结构如下的原子结构如下：： 硅硅Si Si （（锗锗GeGe））的原子结构如下的原子结构如下：： 这种结构的原子利用共价键构成了这种结构的原子利用共价键构成了本征半导体本征半导体结构结构。。 这种结构的原子利用共价键构成了这种结构的原子利用共价键构成了本征半导体本征半导体结构结构。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 这种稳定的结构使得本征半导体常温下这种稳定的结构使得本征半导体常温下 这种稳定的结构使得本征半导体常温下这种稳定的结构使得本征半导体常温下 不能导电不能导电，呈现绝缘体性质，呈现绝缘体性质。。 不能导电不能导电，，呈现绝缘体性质呈现绝缘体性质。。 但在外界激励下但在外界激励下，产生，产生电子电子— 空穴对空穴对 （本（本 但在外界激励下但在外界激励下，，产生产生电子电子 空穴对空穴对 （（本本 征激发征激发 ）） ，，呈现导体的性质呈现导体的性质。。 征激发征激发 ）），，呈现导体的性质呈现导体的性质。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 这种稳定的结构使得本征半导体常温下这种稳定的结构使得本征半导体常温下 这种稳定的结构使得本征半导体常温下这种稳定的结构使得本征半导体常温下 不能导电不能导电，呈现绝缘体性质，呈现绝缘体性质。。 不能导电不能导电，，呈现绝缘体性质呈现绝缘体性质。。 但在外界激励下但在外界激励下，产生，产生电子电子— 空穴对空穴对 （本（本 但在外界激励下但在外界激励下，，产生产生电子电子 空穴对空穴对 （（本本 征激发征激发 ）） ，，呈现导体的性质呈现导体的性质。。 征激发征激发 ）），，呈现导体的性质呈现导体的性质。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 在外界激励下在外界激励下，产生，产生电子电子 空穴对空穴对 （本征激发（本征激发 ））。。 在外界激励下在外界激励下，，产生产生电子电子 空穴对空穴对 （（本征激发本征激发 ））。。 — 空穴也可移动空穴也可移动 （邻近电子的依次填充（邻近电子的依次填充 ）。）。 空穴也可移动空穴也可移动 （（邻近电子的依次填充邻近电子的依次填充 ）。）。 电子技术论 坛 电子发 烧友 在外界激励下在外界激励下，产生，产生电子电子 空穴对空穴对 （本征激发（本征激发 ））。。 在外界激励下在外界激励下，，产生产生电子电子 空穴对空穴对 （（本征激发本征激发 ））。。 — 空穴也可移动空穴也可移动 （邻近电子的依次填充（邻近电子的依次填充 ）。）。 空穴也可移动空穴也可移动 （（邻近电子的依次填充邻近电子的依次填充 ）。）。 电子技术论 坛 电子发 烧友 在外界激励下在外界激励下，产生，产生电子电子 空穴对空穴对 （本征激发（本征激发 ））。。 在外界激励下在外界激励下，，产生产生电子电子 空穴对空穴对 （（本征激发本征激发 ））。。 — 空穴也可移动空穴也可移动 （邻近电子的依次填充（邻近电子的依次填充 ）。）。 空穴也可移动空穴也可移动 （（邻近电子的依次填充邻近电子的依次填充 ）。）。 电子技术论 坛 电子发 烧友 半导体内部存在两种半导体内部存在两种载流子载流子 （可导（可导 半导体内部存在两种半导体内部存在两种载流子载流子 （（可导可导 电的自由电荷电的自由电荷）：）：电子电子 （负电荷（负电荷）、）、空空 电的自由电荷电的自由电荷）：）：电子电子 （（负电荷负电荷）、）、空空 穴（穴 （正电荷正电荷）。）。 穴穴 （（正电荷正电荷）。）。 在本征半导体中在本征半导体中，，本征激发本征激发产生了产生了 在本征半导体中在本征半导体中，，本征激发本征激发产生了产生了 电子电子 空穴对空穴对，同时存在电子，同时存在电子 空穴对空穴对 — — 电电子子 空穴对空穴对，，同时存在电子同时存在电子 空穴对空穴对 的的复合复合 。。 的的复合复合 。。 电子浓度电子浓度 = 空穴浓度空穴浓度 n = p 电子浓度电子浓度 空穴浓度空穴浓度 i i 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .1 .2 杂质半导体杂质半导体 杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的其他特定元 在本征半导体中掺入少量的其他特定元 在本征半导体中掺入少量的其他特定元在本征半导体中掺入少量的其他特定元 素（素 （称为杂质称为杂质 ）而形成的半导体）而形成的半导体。。 素素 （（称为杂质称为杂质 ））而形成的半导体而形成的半导体。。 常用的杂质材料有 常用的杂质材料有5价元素磷5价元素磷P和P和33价元素硼价元素硼B。B。 常用的杂质材料有常用的杂质材料有55价元素磷价元素磷PP和和33价元素硼价元素硼BB。。 根据掺入杂质的不同 根据掺入杂质的不同，杂质半导体又分，杂质半导体又分 根据掺入杂质的不同根据掺入杂质的不同，，杂质半导体又分杂质半导体又分 为为NN型半导体型半导体和和PP型半导体型半导体。。 为为NN型半导体型半导体和和PP型半导体型半导体。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 一一 N型半导体N型半导体 （电子型半导体（电子型半导体） ） . 一一 NN型半导体型半导体 （（电子型半导体电子型半导体）） 掺如非金属杂质磷掺如非金属杂质磷 掺如非金属杂质磷掺如非金属杂质磷 P 的半导体的半导体。。每掺入一个磷每掺入一个磷 的半导体的半导体。。每掺入一个磷每掺入一个磷 原子就相当于向半导体内原子就相当于向半导体内 原子就相当于向半导体内原子就相当于向半导体内 部注入一个自由电子部注入一个自由电子。。 部注入一个自由电子部注入一个自由电子。。 N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电，电 NN型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，，电电 子属于多数载流子子属于多数载流子 （简称多子（简称多子），），空穴属于少数载流空穴属于少数载流 子属于多数载流子子属于多数载流子 （（简称多子简称多子），），空穴属于少数载流空穴属于少数载流 子（子 （简称少子简称少子）。）。 n n ≥≥p p 子子 （（简称少子简称少子）。）。 nn ≥≥p p N型半导体主要靠电子导电 N型半导体主要靠电子导电。。 N N型半导体主要靠电子导电型半导体主要靠电子导电。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 二二 P型半导体P型半导体 （空穴型（空穴型半导体半导体） ） . 二二 PP型半导体型半导体 （（空穴型空穴型半导体半导体）） 掺如非金属杂质硼掺如非金属杂质硼 掺如非金属杂质硼掺如非金属杂质硼 B 的半导体的半导体。。每掺入一个硼每掺入一个硼 的半导体的半导体。。每掺入一个硼每掺入一个硼 原子就相当于向半导体内原子就相当于向半导体内 原子就相当于向半导体内原子就相当于向半导体内 部注入一个空穴部注入一个空穴。。 部注入一个空穴部注入一个空穴。。 P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，空，空 PP型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，，空空 穴属于多数载流子穴属于多数载流子 （简称多子（简称多子），），电子属于少数载流电子属于少数载流 穴属于多数载流子穴属于多数载流子 （（简称多子简称多子），），电子属于少数载流电子属于少数载流 子（子 （简称少子简称少子）。）。 p p ≥≥ n n 子子 （（简称少子简称少子）。）。 p p ≥≥ n n P型半导体主要靠空穴导电 P型半导体主要靠空穴导电。。 P P型半导体主要靠空穴导电型半导体主要靠空穴导电。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 杂质半导体的简化表示法杂质半导体的简化表示法 杂质半导体的简化表示法杂质半导体的简化表示法 杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定 杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，， 杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，， 总体是电中性的总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等，通常只画出其中的杂质离子和等 总体是电中性的总体是电中性的，，通常只画出其中的杂质离子和等通常只画出其中的杂质离子和等 量的多数载流子量的多数载流子。。 量的多数载流子量的多数载流子。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 半导体二极管半导体二极管 （（ ）） 1 .2 Diode 半导体二极管半导体二极管 （（ ）） 二极管的主要结构是二极管的主要结构是PN结PN结。。 二极管的主要结构是二极管的主要结构是PNPN结结。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 结（结 （ ）） 1 .2 .1 PN PN Junction 结结 （（ ）） 将一块将一块 型半导体和一块型半导体和一块 型半导体有机结合在型半导体有机结合在 将一块将一块 型半导体和一块型半导体和一块 型半导体有机结合在型半导体有机结合在 P N 一起一起，其结合部就叫，其结合部就叫 结（结 （该区域具有特殊性质该区域具有特殊性质）。）。 一起一起，，其结合部就叫其结合部就叫 结结 （（该区域具有特殊性质该区域具有特殊性质）。）。 PN 电子技术论 坛 电子发 烧友 一一. PN结的形成结的形成 一一 结的形成结的形成 多子扩散多子扩散 （在（在PNPN结合结合 多子扩散多子扩散 （（在在PNPN结合结合 部形成内电场部形成内电场EE ）。）。 部形成内电场部形成内电场EE ）。）。 II II 内电场阻碍多子扩内电场阻碍多子扩 内电场阻碍多子扩内电场阻碍多子扩 散、散、利于少子漂移利于少子漂移。 。 散散、、利于少子漂移利于少子漂移。。 当扩散与漂移相对当扩散与漂移相对 当扩散与漂移相对当扩散与漂移相对 平衡平衡，形成，形成PN结PN结。。 平衡平衡，，形成形成PNPN结结9博体育。。 结别名结别名：耗尽层：耗尽层、、 PN结别名结别名：：耗尽层耗尽层、、 势垒区势垒区、电位壁垒、电位壁垒、、 势垒区势垒区、、电位壁垒电位壁垒、、 阻挡层阻挡层、内电场、内电场、空、空 阻挡层阻挡层、、内电场内电场、、空空 间电荷区等间电荷区等。。 间电荷区等间电荷区等。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 二二. PN结性质结性质——单向导电性单向导电性 二二 结性质结性质 单向导电性单向导电性 电子技术论 坛 电子发 烧友 二二. PN结性质结性质——单向导电性单向导电性 二二 结性质结性质 单向导电性单向导电性 正向导通正向导通 1. 正向导通正向导通 PN结外加正向电压PN结外加正向电压 （正向偏置（正向偏置 ）） P接P接 ++、、NN接接 - - ，，形成较形成较 PNPN结外加正向电压结外加正向电压 （（正向偏置正向偏置 ）） PP接接 ++、、NN接接 - - ，，形成较形成较 —— 大正向电流大正向电流 （正向电阻较小（正向电阻较小 ）。）。如3mA如3mA。。 大正向电流大正向电流 （（正向电阻较小正向电阻较小 ）。）。如如3mA3mA。。 （（ 管）管） （（ 管管）） 0.7V Si 正偏电压正偏电压 正偏电压正偏电压U= （（ 管管 （（ 管管 0.2V Ge 反向截止反向截止 2. 反向截止反向截止 PN结外加反向电压PN结外加反向电压 （反向偏置（反向偏置 ）） P接P接 --、、NN接接 ++，，形成较形成较 PNPN结外加反向电压结外加反向电压 （（反向偏置反向偏置 ）） PP接接 --、、NN接接 ++，，形成较形成较 —— 小反向电流小反向电流 （反向电阻较大（反向电阻较大 ）。）。如10如10μμAA。。 小反向电流小反向电流 （（反向电阻较大反向电阻较大 ）。）。如如1010μμAA。。 当电压超过某个值 当电压超过某个值 （约零点几伏（约零点几伏 ），），全部少子参与导电全部少子参与导电，形成，形成 当电压超过某个值当电压超过某个值 （（约零点几伏约零点几伏 ），），全部少子参与导电全部少子参与导电，，形成形成 反向饱和电流反向饱和电流II 。。 “反向饱和电流反向饱和电流IISS”。9博体育。 SS 反偏电压最高可达几千伏反偏电压最高可达几千伏。。 反偏电压最高可达几千伏反偏电压最高可达几千伏。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .2 .2 二极管二极管 二极管二极管 用外壳将用外壳将PN结封闭PN结封闭，引出，引出2根极线根极线，就构成了二极管，就构成了二极管 。 。 用外壳将用外壳将PNPN结封闭结封闭，，引出引出22根极线根极线，，就构成了二极管就构成了二极管 。。 一．一．二极管伏安特性二极管伏安特性 一一．．二极管伏安特性二极管伏安特性 正向电流较大正向电流较大 （正向电阻（正向电阻 正向电流较大正向电流较大 （（正向电阻正向电阻 较小较小），），反向电流较小反向电流较小 （反向（反向 较小较小），），反向电流较小反向电流较小 （（反向反向 电阻较大电阻较大）。）。 电阻较大电阻较大）。）。 门限电压门限电压 （死区电压（死区电压）） γγ 门限电压门限电压 （（死区电压死区电压））V γγ 管约为管约为 、、 管约为管约为 (Si 管约为管约为 0.5V 、、Ge 管约为管约为 ，反向击穿电压，反向击穿电压 （可（可 ，，反向击穿电压反向击穿电压 BR （（可可 0.1V) V 高达几千伏高达几千伏）） 高达几千伏高达几千伏）） 二极管电压电流方程二极管电压电流方程：： 二极管电压电流方程二极管电压电流方程：： 电子技术论 坛 电子发 烧友 二．二．二极管主要参数二极管主要参数 二二．．二极管主要参数二极管主要参数 1. 最大整流电流最大整流电流I 最大整流电流最大整流电流 F 2. 最高反向工作电压最高反向工作电压U 最高反向工作电压最高反向工作电压 R 3. 反向电流反向电流I 反向电流反向电流 R 4. 最高工作频率最高工作频率f 最高工作频率最高工作频率 M 电子技术论 坛 电子发 烧友 三极管三极管 （（ ）） 1 .3 Transistor 三极管三极管 （（ ）） 由三块半导 由三块半导 1 .3 .1 三极管结构及符号三极管结构及符号 由三块半导由三块半导 三极管结构及符号三极管结构及符号 体构成体构成，分为，分为NPNNPN 体构成体构成，，分为分为NPNNPN 型和型和PNP型两种PNP型两种。。 型和型和PNPPNP型两种型两种。。 三极管含有三极管含有3极3极、、 三极管含有三极管含有33极极、、 2结2结、、33区区。。其中其中 22结结、、33区区。。其中其中 发射区高掺杂发射区高掺杂 ，， 发射区高掺杂发射区高掺杂 ，， 基区较薄且低掺基区较薄且低掺 基区较薄且低掺基区较薄且低掺 杂，杂，集电区一般集电区一般 杂杂，，集电区一般集电区一般 掺杂掺杂。 。 掺杂掺杂。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 三极管三极管 （（ ）） 1 .3 Transistor 三极管三极管 （（ ）） 1 .3 .2 三极管的三种接法三极管的三种接法 （三种组态（三种组态）） 三极管的三种接法三极管的三种接法 （（三种组态三种组态）） 三极管在放大电路中有三种接法 三极管在放大电路中有三种接法：共发射极：共发射极、、 三极管在放大电路中有三种接法三极管在放大电路中有三种接法：：共发射极共发射极、、 共基极共基极、共集电极、共集电极。 。 共基极共基极、、共集电极共集电极。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 三极管三极管 （（ ）） 1 .3 Transistor 三极管三极管 （（ ）） 1 .3 .3 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 为保证三极管具有放大作用 为保证三极管具有放大作用 （直流能量转换为（直流能量转换为 为保证三极管具有放大作用为保证三极管具有放大作用 （（直流能量转换为直流能量转换为 交流能量交流能量），），三极管电路中必须要有直流电源三极管电路中必须要有直流电源，并，并 交流能量交流能量），），三极管电路中必须要有直流电源三极管电路中必须要有直流电源，，并并 且直流电源的接法必须保证且直流电源的接法必须保证三极管的发射结正偏三极管的发射结正偏、、 且直流电源的接法必须保证且直流电源的接法必须保证三极管的发射结正偏三极管的发射结正偏、、 集电结反偏集电结反偏 。 。 集电结反偏集电结反偏 。。 下面以共发射极 下面以共发射极NPN管为例分析三极管内部载NPN管为例分析三极管内部载 下面以共发射极下面以共发射极NPNNPN管为例分析三极管内部载管为例分析三极管内部载 流子的运动规律流子的运动规律，从而得到三极管的放大作用，从而得到三极管的放大作用。。 流子的运动规律流子的运动规律，，从而得到三极管的放大作用从而得到三极管的放大作用。。 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .3 .3 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 一.一.发射区向基区发射区向基区 一一..发射区向基区发射区向基区 发射载流子 发射载流子 (电子(电子) ) 发射载流子发射载流子 ((电子电子) ) 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .3 .3 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 一.一.发射区向基区发射区向基区 一一..发射区向基区发射区向基区 发射载流子 发射载流子 (电子(电子) ) 发射载流子发射载流子 ((电子电子) ) 二.二.电子在基区的电子在基区的 二二..电子在基区的电子在基区的 疏运输运和复合 疏运输运和复合 疏运输运和复合疏运输运和复合 IBN IEN 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .3 .3 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 三极管内部载流子传输三极管内部载流子传输 IC 一.一.发射区向基区发射区向基区 一一..发射区向基区发射区向基区 ICN 发射载流子 发射载流子 (电子(电子) ) 发射载流子发射载流子 ((电子电子) ) 二.二.电子在基区的电子在基区的 IB 二二..电子在基区的电子在基区的 疏运输运和复合 疏运输运和复合 ICBO 疏运输运和复合疏运输运和复合 IBN 三.三.集电区收集电子集电区收集电子 三三..集电区收集电子集电区收集电子 IE 电子技术论 坛 电子发 烧友 1 .3 .4 三极管各极电流关系三极管各极电流关系 三极管各极电流关系三极管各极电流关系 一一 各极电流关系各极电流关系 一一 各极电流关系各极电流关系 . ≈≈ ≈≈ E EN BN EN I =I +I I －－ －－ B BN CBO I = I I C CN CBO I =I + I E C B I = I + I 二二 电流控制作用电流控制作用 二二 电流控制作用电流控制作用 . ββ ≈≈ ββ CN BN ≈≈ C B =I / I I / I ββ ββ ββ ≈β≈β

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